面對(duì)儲(chǔ)存型閃存(NAND Flash)供貨緊縮，以及二維(2D)NAND Flash將于10納米制程面臨微縮瓶頸，東芝(Toshiba)已于近期宣布將于2013年8月底展開五號(hào)半導(dǎo)體制造工廠(Fab 5)第二期建廠計(jì)劃，以因應(yīng)未來(lái)NAND Flash擴(kuò)產(chǎn)需求，并為日后投產(chǎn)3D NAND Flash預(yù)先做好準(zhǔn)備。
為突破NAND Flash微縮關(guān)卡的主流技術(shù)，東芝正規(guī)劃3D NAND Flash制程，東芝表示，未來(lái)將會(huì)有更多適用于3D NAND Flash的應(yīng)用陸續(xù)出現(xiàn)，而五號(hào)半導(dǎo)體制造工廠擴(kuò)產(chǎn)，將有助該公司提高市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，并迎合市場(chǎng)需求。
五號(hào)半導(dǎo)體制造工廠第二期工程除將成為往后該公司用以生產(chǎn)3D NAND Flash的利器之外，并將確保東芝可基于最新的納米制程技術(shù)，持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)NAND Flash。東芝指出，智能手機(jī)、平板裝置、企業(yè)伺服器用固態(tài)硬盤(SSD)及其他新應(yīng)用不斷增長(zhǎng)的需求，正帶動(dòng)NAND Flash產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇，而考量長(zhǎng)期的市場(chǎng)供需平衡，東芝已計(jì)劃投入五號(hào)半導(dǎo)體工廠的擴(kuò)產(chǎn)。
據(jù)了解，五號(hào)半導(dǎo)體制造工廠第二期將擁有具備減震結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的自動(dòng)化產(chǎn)品運(yùn)輸系統(tǒng)，以避免地震時(shí)工廠崩塌造成環(huán)境的負(fù)荷;并有發(fā)光二極體(LED)照明和最新的節(jié)能生產(chǎn)設(shè)施的部署，可充分和有效的利用余熱，相較于四號(hào)半導(dǎo)體制造工廠，預(yù)計(jì)將削減13%的二氧化碳排放量。
據(jù)悉，東芝于日本三重縣四日市已擁有三座晶圓廠，大規(guī)模量產(chǎn)NAND Flash，其中包括五號(hào)半導(dǎo)體制造工廠第一階段廠房。
